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新品快讯 | Nexperia第二代650V氮化镓场效应管使80PLUS钛金级电源可在2kW或更高功率下运行

2021-05-27

近日,2021年4月27日:基础半导体器件领域的专家 Nexperia(安世半导体)今天宣布其第二代 650 V 功率 GaN FET 器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。


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全新的功率 GaN FET 具有低至 35mΩ(典型值)的 RDS(on) 性能,适用于 2 kW 至 10 kW 的单相 AC/DC 和 DC/DC 工业开关模式电源(SMPS),特别是必须满足 80 PLUS? 钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。


全新 650V H2 功率 GaN FET 采用 TO-247 封装,对于给定 RDS(on)值,芯片尺寸缩小 36%,具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路,加快了产品上市速度。该器件在硬开关和软开关电路中均具有出色的性能,为设计人员提供极大的灵活性。


Nexperia(安世半导体)GaN 战略市场总监 Dilder Chowdhury 解释说:“钛金级是 80 PLUS? 规格中最严苛的,满载条件下要求达到 >91% 的效率(半载条件下 >96%)。对于 2 kW 及更高功率的服务器电源应用,使用传统硅器件来实现这种性能水平,电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia 新的功率 GaN FET 非常适合简洁的无桥图腾柱 PFC 电路,使用更少的器件,并能减少尺寸和系统成本。”


Nexperia(安世半导体)GAN041-650WSB GaN FET 现已大量供货。